• 電腦模擬圖（左）和實際照片（右），蓮葉上密集的微小突起，讓大顆的水珠和灰塵不易附著，這讓蓮葉具有疏水與自我清潔的特性。 圖｜William Thielicke、GJ Bulte
  • IBM 展示 5 奈米技術的矽奈米片電晶體（nanosheet transistors），圖中堆疊起來的一顆顆橢圓形結構是電子通道的截面，IBM 設計立體結構以因應愈來愈小的元件尺寸。 圖｜IBM 意外的驚喜
  • 示意圖，當水受到兩層石墨烯的極限擠壓之下，會形成單原子厚度的二維奈米薄冰，這層薄冰是鐵電材料，而且可以在室溫下穩定存在。 圖｜研之有物（資料來源｜謝雅萍）
  • 鐵電材料經過外加電場的「極化」之後，即使不加電場仍可維持原本的電荷排列方向。圖片顯示為順電狀態，極化方向和外加電場相同，箭頭表示每一小塊區域（Domain）的平均極化方向。 圖｜研之有物（資料來源｜Inorganics）
  • 謝雅萍與研究團隊用意外發現的二維奈米薄冰，以石墨烯為架構，做出了全世界第一個機械式的憶阻器。 圖｜研之有物
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  • 電腦模擬圖（左）和實際照片（右），蓮葉上密集的微小突起，讓大顆的水珠和灰塵不易附著，這讓蓮葉具有疏水與自我清潔的特性。 圖｜William Thielicke、GJ Bulte

  • IBM 展示 5 奈米技術的矽奈米片電晶體（nanosheet transistors），圖中堆疊起來的一顆顆橢圓形結構是電子通道的截面，IBM 設計立體結構以因應愈來愈小的元件尺寸。 圖｜IBM 意外的驚喜

  • 示意圖，當水受到兩層石墨烯的極限擠壓之下，會形成單原子厚度的二維奈米薄冰，這層薄冰是鐵電材料，而且可以在室溫下穩定存在。 圖｜研之有物（資料來源｜謝雅萍）

  • 鐵電材料經過外加電場的「極化」之後，即使不加電場仍可維持原本的電荷排列方向。圖片顯示為順電狀態，極化方向和外加電場相同，箭頭表示每一小塊區域（Domain）的平均極化方向。 圖｜研之有物（資料來源｜Inorganics）

  • 謝雅萍與研究團隊用意外發現的二維奈米薄冰，以石墨烯為架構，做出了全世界第一個機械式的憶阻器。 圖｜研之有物

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