圖片為熱電材料的基本特性。同一個熱電材料，若給予兩端溫度差可以產生電壓（西貝克效應）；若給予兩端電壓則會造成溫度差（皮爾特效應）。 圖│研之有物（資料來源│陳洋元）

半導體材料是良好的熱電材料，依據摻雜的元素種類，可分為 n 型（電流載子為電子，帶負電）與 p 型（電流載子為電洞，帶正電），製作熱電材料時，會將 n、p 型材料組合成上圖「熱電偶」的形式。 圖│研之有物（資料來源│陳洋元）

各種 p 型（左）、n 型（右）材料的 ZT 值與溫度關係圖。可以看到接近室溫（27°C，約300K）表現最好的材料為 p 型的 BiSbTe（藍色折線）。 圖│陳洋元

圖片為「疊差」缺陷。對於熱電材料來說，為了降低導熱率，理想上可利用「疊差」來調控材料內部「缺陷」，最終目的是導熱變差，卻能保有良好的導電率。 圖│研之有物（資料來源│陳洋元）

薄型熱電晶片內包含了 128 對 p 型、n 型半導體，具有輕巧的外形。 圖│陳洋元